BSH111、BSH111,215、BSH111,235对比区别

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型号 BSH111 BSH111,215 BSH111,235

描述 BSH111 N沟道MOSFET 55V 335mA/0.335A SOT-23/SC-59 marking/标记 WK3NXP  BSH111,215.  场效应管, MOSFET, N沟道TO-236AB N-CH 55V 0.335A

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-236 SOT-23-3 SOT-23-3

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 830 mW 830 mW 830mW (Tc)

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 335 mA 335 mA 0.335A

耗散功率(Max) 302mW (Ta) 830 mW 830mW (Tc)

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 2.3 Ω -

阈值电压 - 1 V -

输入电容(Ciss) - 40pF @10V(Vds) 40pF @10V(Vds)

额定功率(Max) - 830 mW -

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃

封装 TO-236 SOT-23-3 SOT-23-3

长度 - 3 mm -

宽度 - 1.4 mm -

高度 - 1 mm -

产品生命周期 Unknown Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)