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CY7C199C-12ZXC

CY7C199C-12ZXC

数据手册.pdf

CY7C199C 系列 256 b 32 K x 8 5 V 12 ns 静态 RAM - TSOP-28

SRAM - 异步 存储器 IC 256Kb(32K x 8) 并联 12 ns 28-TSOP I


立创商城:
CY7C199C-12ZXC


得捷:
IC SRAM 256KBIT PAR 28TSOP I


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CY7C199C 系列 256 b 32 K x 8 5 V 12 ns 静态 RAM - TSOP-28


Chip1Stop:
SRAM Chip Async Single 5V 256K-Bit 32K x 8 12ns 28-Pin TSOP-I


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SRAM Chip Async Single 5V 256K-bit 32K x 8 12ns 28-Pin TSOP-I


CY7C199C-12ZXC中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 5.00 V, 5.50 V max

时钟频率 12.0 GHz

存取时间 12.0 ns

内存容量 256000 B

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 28

封装 TSOP-28

外形尺寸

高度 1.02 mm

封装 TSOP-28

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

CY7C199C-12ZXC引脚图与封装图
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在线购买CY7C199C-12ZXC
型号 制造商 描述 购买
CY7C199C-12ZXC Cypress Semiconductor 赛普拉斯 CY7C199C 系列 256 b 32 K x 8 5 V 12 ns 静态 RAM - TSOP-28 搜索库存
替代型号CY7C199C-12ZXC
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: CY7C199C-12ZXC

品牌: Cypress Semiconductor 赛普拉斯

封装: TSOP-I 256000B 5V 12ns

当前型号

CY7C199C 系列 256 b 32 K x 8 5 V 12 ns 静态 RAM - TSOP-28

当前型号

型号: CY7C199D-10ZXI

品牌: 赛普拉斯

封装: TSOP-28 32000B 5V 28Pin

类似代替

CY7C199D 系列 256-Kb 32 K x 8 5 V 10 ns 静态 RAM - TSOP-28

CY7C199C-12ZXC和CY7C199D-10ZXI的区别

型号: IS61C256AL-12JLI

品牌: Integrated Silicon SolutionISSI

封装: SOJ 32000B 5V 12ns 28Pin

功能相似

INTEGRATED SILICON SOLUTION ISSI  IS61C256AL-12JLI  芯片, 存储器, SRAM, 256KB, 12NS, SOJ-28

CY7C199C-12ZXC和IS61C256AL-12JLI的区别

型号: IS61C256AL-12TLI

品牌: Integrated Silicon SolutionISSI

封装: TSOP-I 32000B 5V 12ns 28Pin

功能相似

RAM,ISSI**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM,其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用,如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源:1.8V/3.3V/5V 提供的封装:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择:x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM(静态随机存取存储器)

CY7C199C-12ZXC和IS61C256AL-12TLI的区别