锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

BUK9230-100B,118、NTD6414ANT4G、STD25NF10T4对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BUK9230-100B,118 NTD6414ANT4G STD25NF10T4

描述 DPAK N-CH 100V 47AON SEMICONDUCTOR  NTD6414ANT4G  晶体管, MOSFET, N沟道, 32 A, 100 V, 30 mohm, 10 V, 4 VSTMICROELECTRONICS  STD25NF10T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 12.5 A, 100 V, 33 mohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) - - 100 V

额定电流 - - 25.0 A

通道数 - 1 1

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 0.024 Ω 30 mΩ 0.033 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 167 W 100 W 100 W

阈值电压 1.5 V 4 V 3 V

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

漏源击穿电压 - - 100 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 47A 32.0 A 12.5 A

上升时间 86 ns 52 ns 60 ns

输入电容(Ciss) 3805pF @25V(Vds) 1450pF @25V(Vds) 1550pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 167 W 100 W 100 W

下降时间 46 ns 48 ns 15 ns

工作温度(Max) 185 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 167W (Tc) 100W (Tc) 100W (Tc)

长度 - 6.73 mm 6.6 mm

宽度 - 6.22 mm 6.2 mm

高度 - 2.38 mm 2.4 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 185℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2016/06/20 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99