![BUK9230-100B,118](https://image.ruidan.com/images/ics/ic_46/chanpintu/buk9230-100b118-EhsU0HDa-yoDEy3Q3j.png)
漏源极电阻 0.024 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 167 W
阈值电压 1.5 V
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 47A
上升时间 86 ns
输入电容Ciss 3805pF @25VVds
额定功率Max 167 W
下降时间 46 ns
工作温度Max 185 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 167W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 185℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
BUK9230-100B,118 | NXP 恩智浦 | DPAK N-CH 100V 47A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: BUK9230-100B,118 品牌: NXP 恩智浦 封装: DPAK N-Channel 100V 47A | 当前型号 | DPAK N-CH 100V 47A | 当前型号 | |
型号: STB60NF06LT4 品牌: 意法半导体 封装: D2PAK N-Channel 60V 60A 14mΩ | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STB60NF06LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 60 V, 16 mohm, 5 V, 1 V | BUK9230-100B,118和STB60NF06LT4的区别 | |
型号: STD25NF10LT4 品牌: 意法半导体 封装: TO-252 N-Channel 100V 25A 30mΩ | 功能相似 | N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics | BUK9230-100B,118和STD25NF10LT4的区别 | |
型号: STD25NF10T4 品牌: 意法半导体 封装: TO-252 N-Channel 100V 12.5A 33mohms | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STD25NF10T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 12.5 A, 100 V, 33 mohm, 10 V, 3 V | BUK9230-100B,118和STD25NF10T4的区别 |