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TL052CDRE4、TL062ACDR、AD8512BRZ对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TL052CDRE4 TL062ACDR AD8512BRZ

描述 增强型JFET低偏移运算放大器 ENHANCED-JFET LOW-OFFSET OPERATIONAL AMPLIFIERSTEXAS INSTRUMENTS  TL062ACDR  芯片, 运算放大器, 1MHz, 3.5V/uS, SOIC-8ANALOG DEVICES  AD8512BRZ  运算放大器, 双路, 8 MHz, 2个放大器, 20 V/µs, ± 4.5V 至 ± 18V, NSOIC, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) ADI (亚德诺)

分类 放大器、缓冲器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

供电电流 4.8 mA 200 µA 2.2 mA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

针脚数 - 8 8

共模抑制比 65 dB 80 dB 86 dB

带宽 3.00 MHz 1 MHz 8 MHz

转换速率 20.0 V/μs 3.50 V/μs 20.0 V/μs

增益频宽积 3 MHz 1 MHz 8 MHz

输入阻抗 - - 1.25 TΩ

输入补偿电压 650 µV 3 mV 0.4 mV

输入偏置电流 30 pA 30 pA 0.075 nA

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ -40 ℃

增益带宽 - 1 MHz 8 MHz

共模抑制比(Min) 65 dB 80 dB 86 dB

输入补偿漂移 6.00 µV/K 10.0 µV/K -

电源电压 - 7V ~ 36V -

电源电压(Max) - 36 V -

电源电压(Min) - 7 V -

输出电流 ≤80 mA - -

长度 - 4.9 mm 5 mm

宽度 - 3.91 mm 4 mm

高度 - 1.58 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 - - No SVHC

军工级 - - No

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/12/17