2N3501UB、JAN2N3501UB、JANTX2N3501对比区别

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型号 2N3501UB JAN2N3501UB JANTX2N3501

描述 抗辐射 RADIATION HARDENED抗辐射硅NPN开关晶体管 RADIATION HARDENED NPN SILICON SWITCHING TRANSISTORTrans GP BJT NPN 150V 0.3A 3Pin TO-39

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Semicoa Semiconductor

分类 双极性晶体管双极性晶体管

引脚数 3 4 3

封装 SMD-3 SMD-3 TO-39

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

耗散功率 0.5 W - 1 W

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 500 mW 500 mW 1000 mW

击穿电压(集电极-发射极) 150 V 150 V -

最小电流放大倍数(hFE) 100 @150mA, 10V 100 @150mA, 10V -

额定功率(Max) 500 mW 500 mW -

封装 SMD-3 SMD-3 TO-39

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Bulk - -

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead -

ECCN代码 - - EAR99