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JAN2N3501UB

JAN2N3501UB

数据手册.pdf

抗辐射硅NPN开关晶体管 RADIATION HARDENED NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR

This 2N3501 epitaxial planar transistor is military qualified up to a JANS level for high-reliability applications.  This device is also available in thru hole TO-5 and TO-39 packaging as well as a low profile U4 surface mount.  also offers numerous other transistor products to meet higher and lower power ratings with various switching speed requirements in both through-hole and surface-mount packages.

JAN2N3501UB中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 150 V

最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 10V

额定功率Max 500 mW

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SMD-3

外形尺寸

封装 SMD-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

JAN2N3501UB引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
JAN2N3501UB Microsemi 美高森美 抗辐射硅NPN开关晶体管 RADIATION HARDENED NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR 搜索库存
替代型号JAN2N3501UB
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: JAN2N3501UB

品牌: Microsemi 美高森美

封装: Waffle

当前型号

抗辐射硅NPN开关晶体管 RADIATION HARDENED NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR

当前型号

型号: JANTX2N3501UB

品牌: 美高森美

封装: Waffle 500mW

完全替代

Trans GP BJT NPN 150V 0.3A 3Pin Case UB

JAN2N3501UB和JANTX2N3501UB的区别

型号: 2N3501UB

品牌: 美高森美

封装: SMD 500mW

完全替代

抗辐射 RADIATION HARDENED

JAN2N3501UB和2N3501UB的区别

型号: JANS2N3501UB

品牌: 美高森美

封装: Case NPN 500mW

类似代替

NPN 150V 0.3A

JAN2N3501UB和JANS2N3501UB的区别