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BC847BS-7-F、BC847BV,115、BC847BDW1T3G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC847BS-7-F BC847BV,115 BC847BDW1T3G

描述 BC847BS 系列 双 NPN 45 V 200 mW 小信号晶体管 表面贴装 - SOT-363NXP  BC847BV,115  单晶体管 双极, NPN, 45 V, 100 MHz, 300 mW, 100 mA, 200 hFEON SEMICONDUCTOR  BC847BDW1T3G  Bipolar (BJT) Single Transistor, Dual NPN, 45 V, 100 MHz, 380 mW, 100 mA, 200 hFE 新

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 6

封装 SC-70-6 SOT-666-6 SC-70-6

频率 100 MHz 100 MHz 100 MHz

针脚数 6 6 6

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 200 mW 300 mW 380 mW

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 45 V

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 200 @2mA, 5V 200 @2mA, 5V 200 @2mA, 5V

额定功率(Max) 200 mW 300 mW 380 mW

直流电流增益(hFE) 200 200 200

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 200 mW 300 mW 380 mW

额定功率 0.2 W - -

额定电压(DC) - - 45.0 V

额定电流 - - 100 mA

无卤素状态 - - Halogen Free

长度 - 1.7 mm 2 mm

宽度 - 1.3 mm 1.25 mm

高度 1 mm 0.6 mm 0.95 mm

封装 SC-70-6 SOT-666-6 SC-70-6

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

材质 - - Silicon

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

军工级 Yes - -

ECCN代码 EAR99 - EAR99

香港进出口证 NLR - -