锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

IRFR13N20DTRPBF、IRFR13N20DTRRP、IRFR13N20DTR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFR13N20DTRPBF IRFR13N20DTRRP IRFR13N20DTR

描述 晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 200 V, 0.235 ohm, 10 V, 5.5 VDPAK N-CH 200V 13ADPAK N-CH 200V 13A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定功率 110 W - -

通道数 1 - -

针脚数 3 - -

漏源极电阻 235 mΩ - -

极性 N-Channel N-CH N-CH

耗散功率 110 W 110W (Tc) 110W (Tc)

阈值电压 5.5 V - -

输入电容 830 pF - -

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

漏源击穿电压 200 V - -

连续漏极电流(Ids) 13A 13A 13A

上升时间 27 ns 27 ns -

输入电容(Ciss) 830pF @25V(Vds) 830pF @25V(Vds) 830pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 110 W - -

下降时间 10 ns 10 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 110W (Tc) 110W (Tc) 110W (Tc)

产品系列 - IRFR13N20D -

长度 6.73 mm - -

宽度 6.22 mm - -

高度 2.3 mm - -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead