IRFR13N20DTRRP
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IRFR13N20DTRRP中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 110W Tc
产品系列 IRFR13N20D
漏源极电压Vds 200 V
连续漏极电流Ids 13A
上升时间 27 ns
输入电容Ciss 830pF @25VVds
下降时间 10 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 110W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
IRFR13N20DTRRP引脚图与封装图
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在线购买IRFR13N20DTRRP
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRFR13N20DTRRP | Infineon 英飞凌 | DPAK N-CH 200V 13A | 搜索库存 |
替代型号IRFR13N20DTRRP
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRFR13N20DTRRP 品牌： Infineon 英飞凌 封装： DPAK N-CH 200V 13A | 当前型号 | DPAK N-CH 200V 13A | 当前型号 |
| 型号： IRFR13N20DTRPBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-Channel 200V 13A | 类似代替 | 晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 200 V, 0.235 ohm, 10 V, 5.5 V | IRFR13N20DTRRP和IRFR13N20DTRPBF的区别 |