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IXDD614SITR、UCC37322D、UCC27322D对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXDD614SITR UCC37322D UCC27322D

描述 IXD_614 系列 35 V 14 A 0.8 Ohm 低压侧 超快 MOSFET 驱动器 - SOIC-8TEXAS INSTRUMENTS  UCC37322D  芯片, MOSFET, 低压侧, 4V-15V电源, 9A输出, 35ns延迟, SOIC-8TEXAS INSTRUMENTS  UCC27322D  驱动器, MOSFET, 低压侧, 4V-15V电源, 9A输出, 35ns延迟, SOIC-8

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) - 15.0V (max) 4.00V (min)

上升/下降时间 25ns, 18ns 20 ns 20 ns

输出接口数 1 1 1

输出电压 - 150 mV 150 mV

输出电流 - 9 A 9.00 A

针脚数 - 8 8

耗散功率 - 650 mW 650 mW

上升时间 25 ns 35 ns 70 ns

输出电压(Max) - - 300 mV

下降时间 18 ns 20 ns 30 ns

下降时间(Max) - 30 ns 30 ns

上升时间(Max) - 70 ns 70 ns

工作温度(Max) - 70 ℃ 105 ℃

工作温度(Min) - 0 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) - 650 mW 650 mW

电源电压 4.5V ~ 35V 4V ~ 15V 4V ~ 15V

电源电压(Max) 35 V 15 V 15 V

电源电压(Min) 4.5 V 4 V 4 V

长度 - 4.9 mm 4.9 mm

宽度 - 3.91 mm 3.91 mm

高度 - 1.58 mm 1.58 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 105℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99