FDS9435A、STS5PF30L、IRF9333PBF对比区别

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型号 FDS9435A STS5PF30L IRF9333PBF

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS9435A  晶体管, MOSFET, P沟道, 5.3 A, -30 V, 0.042 ohm, -10 V, -1.7 VP 沟道 STripFET™ 功率 MOSFET，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsINFINEON  IRF9333PBF  晶体管, MOSFET, P沟道, -9.2 A, -30 V, 15.6 mohm, -10 V, -1.8 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) -30.0 V -30.0 V -

额定电流 -5.30 A -5.00 A -

漏源极电阻 0.042 Ω 0.045 Ω 0.0156 Ω

极性 P-Channel P-Channel P-CH

耗散功率 2.5 W 2.5 W 2.5 W

阈值电压 - 1.6 V 1.8 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 30 V 30.0 V -

栅源击穿电压 ±25.0 V ±16.0 V -

连续漏极电流(Ids) -5.30 A 5.00 A 9.2A

上升时间 13 ns 35 ns -

输入电容(Ciss) 528pF @15V(Vds) 1350pF @25V(Vds) 1110pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 1 W 2.5 W -

下降时间 9 ns 35 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2500 mW 2.5W (Ta)

通道数 1 - -

针脚数 8 - 8

输入电容 528 pF - -

栅电荷 10.0 nC - -

额定功率 - - 2.5 W

长度 5 mm 5 mm 4.98 mm

宽度 4 mm 4 mm 3.99 mm

高度 1.5 mm 1.25 mm 1.57 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - -