IPS1031RPBF、VND10N06-E、VND5N07-E对比区别

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型号 IPS1031RPBF VND10N06-E VND5N07-E

描述 Power Switch Lo Side 18A 3Pin(2+Tab) DPAK Tube电源负载分配开关, 低压侧, 60 V输入, 10 A, 0.15 ohm, 1输出, TO-252-3OMNIFET 全自动保护功率 MOSFET，STMicroelectronicsOMNIFET III 系列全自动保护低侧驱动器，根据坚固性标准进行了测量并提高了可靠性。 这些固态电源开关设计用于电感性或电阻负载，尤其是汽车环境。线性电流限制 热关闭 短路保护 ESD 保护 一体式夹 ### 智能电源开关，STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 FET驱动器FET驱动器电源管理

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

输出接口数 1 1 1

输出电流 6 A 15 A 7 A

供电电流 - 0.15 mA 0.25 mA

通道数 - - 1

漏源极电阻 0.05 Ω 150 mΩ 0.2 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5 W 35 W 60 W

阈值电压 - - 55 V

漏源极电压(Vds) - - 70 V

漏源击穿电压 - 60.0 V 70.0 V

连续漏极电流(Ids) 6.00 A 10.0 A 5.00 A

输入电压(Max) - - 18 V

输出电流(Max) 3 A 6 A 3.5 A

输出电流(Min) - 6 A 5 A

输入数 - 1 1

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) - 35000 mW 60000 mW

输入电压 4.5V ~ 5.5V - 18 V

工作电压 36.0V (max) - -

额定功率 2.5 W - -

输入电压(DC) 5.50 V - -

产品系列 IPS1031R - -

电源电压(Max) 5.5 V - -

电源电压(Min) 4.5 V - -

针脚数 - 3 -

长度 - - 6.6 mm

宽度 - - 6.2 mm

高度 - - 2.4 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) - -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2014/12/17 - -

ECCN代码 - EAR99 EAR99