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FDP3652
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

PowerTrench® N 通道 MOSFET,高达 9.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

N-Channel 100V 9A Ta, 61A Tc 150W Tc Through Hole TO-220-3


得捷:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9


欧时:
### PowerTrench® N 通道 MOSFET,高达 9.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。


贸泽:
MOSFET 100V 61a 0.016 Ohm


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


富昌:
FDP3652 系列 100 V 16 mOhm N 沟道 PowerTrench Mosfet - TO-220AB


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 9A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDP3652  MOSFET Transistor, N Channel, 61 A, 100 V, 0.014 ohm, 10 V, 4 V


Win Source:
N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 61A, 16mOhm


DeviceMart:
N-Channel PowerTrench MOSFET, Vdss 100V, Rdson 16m Ohm, Id 61A, TO-220AB


FDP3652中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 61.0 A

通道数 1

漏源极电阻 0.014 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 150 W

阈值电压 4 V

输入电容 2.88 nF

栅电荷 41.0 nC

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 61.0 A

上升时间 85 ns

输入电容Ciss 2880pF @25VVds

额定功率Max 150 W

下降时间 45 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 4.83 mm

高度 9.4 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

FDP3652引脚图与封装图
暂无图片
在线购买FDP3652
型号 制造商 描述 购买
FDP3652 Fairchild 飞兆/仙童 PowerTrench® N 通道 MOSFET,高达 9.9A,Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 搜索库存
替代型号FDP3652
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: FDP3652

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: TO-220 N-Channel 100V 61A 14mohms 2.88nF

当前型号

PowerTrench® N 通道 MOSFET,高达 9.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

当前型号

型号: HUFA75645P3

品牌: 飞兆/仙童

封装: TO-220 N-Channel 100V 75A 14mohms

类似代替

75A , 100V , 0.014 Ohm的N通道, UltraFET功率MOSFET 75A, 100V, 0.014 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETs

FDP3652和HUFA75645P3的区别

型号: STP80NF10

品牌: 意法半导体

封装: TO-220 N-Channel 100V 80A 15mΩ

功能相似

N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

FDP3652和STP80NF10的区别

型号: STP80NF12

品牌: 意法半导体

封装: TO-220 N-Channel 120V 80A 18mΩ

功能相似

STMICROELECTRONICS  STP80NF12  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 120 V, 13 mohm, 10 V, 2 V

FDP3652和STP80NF12的区别