STD5NK50ZT4、STW20NK50Z、IRFR420BTM对比区别
型号 STD5NK50ZT4 STW20NK50Z IRFR420BTM
描述 N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronicsN 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 2.3A 3Pin(2+Tab) DPAK T/R
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount
引脚数 3 3 -
封装 TO-252-3 TO-247-3 TO-252-3
额定电压(DC) 500 V 500 V -
额定电流 4.40 A 17.0 A -
额定功率 70 W 190 W -
通道数 1 1 -
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 1.5 Ω 0.23 Ω 2.60 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 70 W 190 W 2.5 W
阈值电压 3.75 V 3.75 V -
输入电容 - 2600 pF -
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V
漏源击穿电压 500 V 500 V 60.0 V
栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V ±30.0 V
连续漏极电流(Ids) 4.40 A 17.0 A 2.30 A
上升时间 10 ns 20 ns -
输入电容(Ciss) 535pF @25V(Vds) 2600pF @25V(Vds) 610pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 70 W 190 W 2.5 W
下降时间 15 ns 15 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 70W (Tc) 190W (Tc) 2.5W (Ta), 41W (Tc)
长度 6.6 mm 15.75 mm -
宽度 6.2 mm 5.15 mm -
高度 2.4 mm 20.15 mm -
封装 TO-252-3 TO-247-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/12/17 2014/06/16 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99