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STD5NK50ZT4、STW20NK50Z、IRFR420BTM对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STD5NK50ZT4 STW20NK50Z IRFR420BTM

描述 N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronicsN 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 2.3A 3Pin(2+Tab) DPAK T/R

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

引脚数 3 3 -

封装 TO-252-3 TO-247-3 TO-252-3

额定电压(DC) 500 V 500 V -

额定电流 4.40 A 17.0 A -

额定功率 70 W 190 W -

通道数 1 1 -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 1.5 Ω 0.23 Ω 2.60 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 70 W 190 W 2.5 W

阈值电压 3.75 V 3.75 V -

输入电容 - 2600 pF -

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

漏源击穿电压 500 V 500 V 60.0 V

栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) 4.40 A 17.0 A 2.30 A

上升时间 10 ns 20 ns -

输入电容(Ciss) 535pF @25V(Vds) 2600pF @25V(Vds) 610pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 70 W 190 W 2.5 W

下降时间 15 ns 15 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 70W (Tc) 190W (Tc) 2.5W (Ta), 41W (Tc)

长度 6.6 mm 15.75 mm -

宽度 6.2 mm 5.15 mm -

高度 2.4 mm 20.15 mm -

封装 TO-252-3 TO-247-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2014/06/16 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99