IRFR420BTM
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
IRFR420BTM中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 2.60 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 60.0 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 2.30 A
输入电容Ciss 610pF @25VVds
额定功率Max 2.5 W
耗散功率Max 2.5W Ta, 41W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
IRFR420BTM引脚图与封装图
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在线购买IRFR420BTM
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRFR420BTM | Fairchild 飞兆/仙童 | Trans MOSFET N-CH 500V 2.3A 3Pin2+Tab DPAK T/R | 搜索库存 |
替代型号IRFR420BTM
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRFR420BTM 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-220 N-Channel 500V 2.3A 2.6ohms | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 500V 2.3A 3Pin2+Tab DPAK T/R | 当前型号 |
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| 型号： STD3NK50ZT4 品牌： 意法半导体 封装： TO-252 N-Channel 500V 2.3A 2.8Ω | 功能相似 | N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics | IRFR420BTM和STD3NK50ZT4的区别 |