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TLV2362IDRE4、TLV2362IDRG4、TLV2362IDR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLV2362IDRE4 TLV2362IDRG4 TLV2362IDR

描述 高性能低电压运算放大器 HIGH-PERFORMANCE LOW-VOLTAGE OPERATIONAL AMPLIFIERSDual High-Performance, Low-Voltage Operational Amplifier 8-SOIC -40℃ to 85℃高性能低电压运算放大器 HIGH-PERFORMANCE LOW-VOLTAGE OPERATIONAL AMPLIFIERS

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 运算放大器放大器、缓冲器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) 5.00 V - 5.00 V

供电电流 1.75 mA 1.75 mA 1.75 mA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

共模抑制比 86 dB 85 dB 85dB ~ 60dB

带宽 6.00 MHz 6.00 MHz 6.00 MHz

转换速率 3.00 V/μs 3.00 V/μs 3.00 V/μs

增益频宽积 7 MHz 7 MHz 7 MHz

输入补偿电压 1000 µV 1 mV 1 mV

输入偏置电流 20 nA 20 nA 20 nA

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压(Max) 5 V - 5 V

电源电压(Min) 2 V - 2 V

输出电流 - ≤20 mA ≤20 mA

输入补偿漂移 - 0.00 V/K 0.00 V/K

增益带宽 - - 7 MHz

共模抑制比(Min) - 85dB ~ 90dB 85dB ~ 90dB

长度 4.9 mm - 4.9 mm

宽度 3.91 mm - 3.91 mm

高度 1.58 mm - 1.58 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free