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CY7C1314BV18-167BZXC、UPD44165362AF5-E50-EQ2-A、CY7C1314V18-167BZC对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY7C1314BV18-167BZXC UPD44165362AF5-E50-EQ2-A CY7C1314V18-167BZC

描述 18兆位QDR⑩ - II SRAM的2字突发架构 18-Mbit QDR⑩-II SRAM 2 Word Burst ArchitectureSRAM DDRII 18Mbit .10UM 165-PBGA勘误文档的CY7C1312V18 & CY7C1314V18 Errata Document for CY7C1312V18 & CY7C1314V18

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Renesas Electronics (瑞萨电子) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片

基础参数对比

引脚数 165 165 -

封装 FBGA BGA FBGA

安装方式 Surface Mount - -

位数 36 36 -

存取时间(Max) 0.5 ns 0.45 ns -

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ -

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ -

封装 FBGA BGA FBGA

产品生命周期 Unknown Obsolete Unknown

包装方式 - - Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -