F101、IRF1010EPBF、IRF1010E对比区别

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型号 F101 IRF1010EPBF IRF1010E

描述 Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, TO-220AB, LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3INFINEON  IRF1010EPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 81 A, 60 V, 12 mohm, 10 V, 4 VTO-220AB N-CH 60V 84A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

安装方式 - Through Hole Through Hole

封装 - TO-220-3 TO-220

引脚数 - 3 -

额定电压(DC) - - 60.0 V

额定电流 - - 84.0 A

漏源极电阻 - 0.012 Ω 12.0 mΩ

极性 - N-Channel N-Channel

耗散功率 - 170 W 170 W

产品系列 - - IRF1010E

漏源极电压(Vds) - 60 V 60 V

漏源击穿电压 - 60 V 60.0 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) - 84A 84.0 A

上升时间 - 78 ns 78 ns

下降时间 - 53 ns 53 ns

额定功率 - 170 W -

针脚数 - 3 -

阈值电压 - 4 V -

输入电容 - 3210pF @25V -

输入电容(Ciss) - 3210pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 200 W -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 200W (Tc) -

封装 - TO-220-3 TO-220

长度 - 10.54 mm -

宽度 - 4.69 mm -

高度 - 8.77 mm -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tube Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 - Lead Free Contains Lead