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KSE13003H1ASTU、ST13003N、STT13005D-K对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 KSE13003H1ASTU ST13003N STT13005D-K

描述 高电压 NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。高压快速开关NPN功率晶体管 High voltage fast-switching NPN power transistor高压快速开关NPN功率晶体管 High voltage fast-switching NPN power transistor

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3

频率 4 MHz - -

额定电压(DC) 400 V - -

额定电流 1.50 A - -

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 20 W 20 W 45 W

击穿电压(集电极-发射极) 400 V 400 V 400 V

集电极最大允许电流 1.5A 1A 2A

最小电流放大倍数(hFE) 9 @500mA, 2V 5 @1A, 10V 10 @500mA, 5V

额定功率(Max) 20 W 20 W 45 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 20000 mW 20000 mW 45000 mW

最大电流放大倍数(hFE) - - 50

长度 8.3 mm - -

宽度 3.45 mm - -

高度 11.2 mm - -

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Bag Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99