频率 4 MHz
额定电压DC 400 V
额定电流 1.50 A
极性 NPN
耗散功率 20 W
击穿电压集电极-发射极 400 V
集电极最大允许电流 1.5A
最小电流放大倍数hFE 9 @500mA, 2V
额定功率Max 20 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 20000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-126-3
长度 8.3 mm
宽度 3.45 mm
高度 11.2 mm
封装 TO-126-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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KSE13003H1ASTU | Fairchild 飞兆/仙童 | 高电压 NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: KSE13003H1ASTU 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: TO-126 NPN 400V 1.5A 20000mW | 当前型号 | 高电压 NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。 | 当前型号 | |
型号: STT13005D-K 品牌: 意法半导体 封装: TO-225AA NPN 45000mW | 功能相似 | 高压快速开关NPN功率晶体管 High voltage fast-switching NPN power transistor | KSE13003H1ASTU和STT13005D-K的区别 | |
型号: ST13003N 品牌: 意法半导体 封装: TO-225AA NPN 20000mW | 功能相似 | 高压快速开关NPN功率晶体管 High voltage fast-switching NPN power transistor | KSE13003H1ASTU和ST13003N的区别 |