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KSE13003H1ASTU

KSE13003H1ASTU

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件
KSE13003H1ASTU中文资料参数规格
技术参数

频率 4 MHz

额定电压DC 400 V

额定电流 1.50 A

极性 NPN

耗散功率 20 W

击穿电压集电极-发射极 400 V

集电极最大允许电流 1.5A

最小电流放大倍数hFE 9 @500mA, 2V

额定功率Max 20 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 20000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-126-3

外形尺寸

长度 8.3 mm

宽度 3.45 mm

高度 11.2 mm

封装 TO-126-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

KSE13003H1ASTU引脚图与封装图
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在线购买KSE13003H1ASTU
型号 制造商 描述 购买
KSE13003H1ASTU Fairchild 飞兆/仙童 高电压 NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。 搜索库存
替代型号KSE13003H1ASTU
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: KSE13003H1ASTU

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: TO-126 NPN 400V 1.5A 20000mW

当前型号

高电压 NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。

当前型号

型号: STT13005D-K

品牌: 意法半导体

封装: TO-225AA NPN 45000mW

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型号: ST13003N

品牌: 意法半导体

封装: TO-225AA NPN 20000mW

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