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DMG2301U-7、DMN2075U-7、DMG1012T-7对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DMG2301U-7 DMN2075U-7 DMG1012T-7

描述 DMG2301U 系列 20 V 80 mOhm P 沟道 增强模式 Mosfet - SOT-23-3DMN2075U-7 编带DMG1012T 系列 20 V 400 mOhm N 沟道 增强模式 Mosfet - SOT-523

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) Diodes (美台) Diodes (美台)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-523-3

通道数 1 1 1

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 80 mΩ 0.025 Ω 0.3 Ω

极性 P-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 0.8 W 800 mW 280 mW

阈值电压 - 1 V 1 V

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V

漏源击穿电压 20 V 20 V 20 V

连续漏极电流(Ids) 2.7A 4.2A 0.63A

上升时间 10.3 ns 9.8 ns 7.4 ns

输入电容(Ciss) 608pF @6V(Vds) 594.3pF @10V(Vds) 60.67pF @16V(Vds)

额定功率(Max) 800 mW 800 mW 280 mW

下降时间 22.2 ns 6.7 ns 12.3 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 800mW (Ta) 800mW (Ta) 280 mW

额定功率 - - 0.28 W

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-523-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99