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DMG2301U-7

DMG2301U-7

数据手册.pdf
Diodes(美台) 分立器件

DMG2301U 系列 20 V 80 mOhm P 沟道 增强模式 Mosfet - SOT-23-3

表面贴装型 P 通道 20 V 2.5A(Ta) 800mW(Ta) SOT-23-3


得捷:
MOSFET P-CH 20V 2.5A SOT23-3


立创商城:
P沟道 20V 2.5A


贸泽:
MOSFET MOSFET P-CHANNEL SOT-23


艾睿:
Make an effective common source amplifier using this DMG2301U-7 power MOSFET from Diodes Zetex. Its maximum power dissipation is 800 mW. In order to guarantee safe delivery and allow for quick mounting of this component after delivery, it will be enclosed in tape and reel packaging during shipment. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This P channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


Allied Electronics:
P-Channel Enhancement MOSFET SOT-23


安富利:
Trans MOSFET P-CH 20V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R


富昌:
DMG2301U 系列 20 V 80 mOhm P 沟道 增强模式 Mosfet - SOT-23-3


Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 20V 2.7A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Verical:
Trans MOSFET P-CH 20V 2.7A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


儒卓力:
**P-CH -20V -2,7A 80mOhm SOT23 **


Win Source:
MOSFET P-CH 20V 2.5A SOT23


DMG2301U-7中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 80 mΩ

极性 P-CH

耗散功率 0.8 W

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 20 V

连续漏极电流Ids 2.7A

上升时间 10.3 ns

输入电容Ciss 608pF @6VVds

额定功率Max 800 mW

下降时间 22.2 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 800mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

DMG2301U-7引脚图与封装图
DMG2301U-7引脚图

DMG2301U-7引脚图

DMG2301U-7封装图

DMG2301U-7封装图

DMG2301U-7封装焊盘图

DMG2301U-7封装焊盘图

在线购买DMG2301U-7
型号 制造商 描述 购买
DMG2301U-7 Diodes 美台 DMG2301U 系列 20 V 80 mOhm P 沟道 增强模式 Mosfet - SOT-23-3 搜索库存
替代型号DMG2301U-7
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: DMG2301U-7

品牌: Diodes 美台

封装: SOT-23-3 P-CH 20V 2.7A

当前型号

DMG2301U 系列 20 V 80 mOhm P 沟道 增强模式 Mosfet - SOT-23-3

当前型号

型号: DMN2075U-7

品牌: 美台

封装: SOT-23 N-Channel 20V 4.2A

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