IPP60R520C6XKSA1、IPP60R520CPXKSA1、IPP60R520C6对比区别

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型号 IPP60R520C6XKSA1 IPP60R520CPXKSA1 IPP60R520C6

描述 TO-220 N-CH 600V 8.1ATO-220 N-CH 600V 6.8A金属氧化物半导体场效应晶体管 Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 - 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定功率 66 W - -

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 66 W 66W (Tc) 66W (Tc)

漏源极电压(Vds) 600 V 650 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 8.1A 6.8A 8.1A

上升时间 10 ns - 10 ns

输入电容(Ciss) 512pF @100V(Vds) 630pF @100V(Vds) 512pF @100V(Vds)

下降时间 14 ns - 14 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 66000 mW 66W (Tc) 66W (Tc)

通道数 - - 1

阈值电压 - - 2.5 V

额定功率(Max) - - 66 W

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

长度 - - 10 mm

宽度 - - 4.4 mm

高度 - - 15.65 mm

产品生命周期 Obsolete Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)