FDD8580、FDU8580对比区别

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型号 FDD8580 FDU8580

描述 N沟道PowerTrench MOSFET的20V ， 35A ， 9mohm N-Channel PowerTrench MOSFET 20V, 35A, 9mohmN沟道PowerTrench MOSFET的20V ， 35A ， 9mohm N-Channel PowerTrench MOSFET 20V, 35A, 9mohm

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-252-3 TO-251-3

额定电压(DC) 20.0 V 20.0 V

额定电流 25.0 A 35.0 A

漏源极电阻 6.60 mΩ 6.6 mΩ

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 49.5W (Tc) 49.5 W

输入电容 1.44 nF 1.44 nF

栅电荷 27.0 nC 27.0 nC

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V

漏源击穿电压 20.0 V 20 V

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 35.0 A 35.0 A

上升时间 11.0 ns 11 ns

输入电容(Ciss) 1445pF @10V(Vds) 1445pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 49.5 W 49.5 W

耗散功率(Max) 49.5W (Tc) 49.5W (Tc)

通道数 - 1

下降时间 - 34 ns

工作温度(Max) - 175 ℃

工作温度(Min) - 55 ℃

封装 TO-252-3 TO-251-3

长度 - 10.67 mm

宽度 - 4.7 mm

高度 - 16.3 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99