FDU8580
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDU8580中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 20.0 V
额定电流 35.0 A
通道数 1
漏源极电阻 6.6 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 49.5 W
输入电容 1.44 nF
栅电荷 27.0 nC
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 35.0 A
上升时间 11 ns
输入电容Ciss 1445pF @10VVds
额定功率Max 49.5 W
下降时间 34 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 49.5W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-251-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
高度 16.3 mm
封装 TO-251-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDU8580引脚图与封装图
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在线购买FDU8580
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDU8580 | Fairchild 飞兆/仙童 | N沟道PowerTrench MOSFET的20V ， 35A ， 9mohm N-Channel PowerTrench MOSFET 20V, 35A, 9mohm | 搜索库存 |
替代型号FDU8580
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDU8580 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-251 N-Channel 20V 35A 6.6mohms 1.44nF | 当前型号 | N沟道PowerTrench MOSFET的20V ， 35A ， 9mohm N-Channel PowerTrench MOSFET 20V, 35A, 9mohm | 当前型号 |
| 型号： FDD8580 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-252 N-Channel 20V 35A 6.6mohms 1.44nF | 类似代替 | N沟道PowerTrench MOSFET的20V ， 35A ， 9mohm N-Channel PowerTrench MOSFET 20V, 35A, 9mohm | FDU8580和FDD8580的区别 |