锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

TLV2254AQD、TLV2324ID、TLV2254AQDRG4Q1对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLV2254AQD TLV2324ID TLV2254AQDRG4Q1

描述 高级LinCMOS轨到轨极低功耗运算放大器 ADVANCED LINCMOS RAIL-TO-RAIL VERY LOW-POWER OPERATIONAL AMPLIFIERSLinCMOSE低电压低功耗运算放大器 LinCMOSE LOW-VOLTAGE LOW-POWER OPERATIONAL AMPLIFIERS高级LinCMOSâ ?? ¢轨到轨极低功耗运算放大器 Advanced LinCMOS™ RAIL-TO-RAIL VERY LOW-POWER OPERATIONAL AMPLIFIERS

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 运算放大器放大器、缓冲器放大器、缓冲器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 14 14 14

封装 SOIC-14 SOIC-14 SOIC-14

供电电流 140 µA 39 µA 140 µA

电路数 4 4 4

通道数 4 4 4

耗散功率 950 mW 0.95 W 950 mW

输入补偿漂移 500 nV/K 1.10 µV/K 500 nV/K

带宽 187 kHz 27.0 kHz 187 kHz

转换速率 120 mV/μs 30.0 mV/μs 120 mV/μs

增益频宽积 200 kHz 0.085 MHz 200 kHz

输入补偿电压 200 µV 1.1 mV 200 µV

输入偏置电流 1 pA 0.6 pA 1 pA

工作温度(Max) 125 ℃ 85 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

增益带宽 0.2 MHz 85 kHz -

输出电流 - ≤30 mA -

共模抑制比 - 65 dB -

耗散功率(Max) - 950 mW -

共模抑制比(Min) - 65 dB -

长度 8.65 mm - 8.65 mm

宽度 3.9 mm - 3.91 mm

高度 1.58 mm - 1.58 mm

封装 SOIC-14 SOIC-14 SOIC-14

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free