IPI60R125CP、IPW60R125CP、IPP60R125CP对比区别

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型号 IPI60R125CP IPW60R125CP IPP60R125CP

描述 CoolMOSTM功率晶体管 CoolMOSTM Power TransistorINFINEON  IPW60R125CP  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 25 A, 650 V, 0.11 ohm, 10 V, 3 VINFINEON  IPP60R125CP  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 25 A, 650 V, 0.11 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-262-3 TO-247-3 TO-220-3

通道数 1 - -

漏源极电阻 0.11 Ω 0.11 Ω 0.11 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 208 W 208 W 208 W

阈值电压 3 V 3 V 3 V

漏源极电压(Vds) 650 V 600 V 650 V

漏源击穿电压 600 V - -

连续漏极电流(Ids) 25.0 A 25.0 A 25.0 A

上升时间 5 ns 5 ns -

下降时间 5 ns 5 ns 5 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

额定电压(DC) - 600 V 600 V

额定电流 - 25.0 A 25.0 A

针脚数 - 3 3

输入电容 - 2.50 nF 2.50 nF

栅电荷 - 70.0 nC 70.0 nC

输入电容(Ciss) - 2500pF @100V(Vds) 2500pF @100V(Vds)

额定功率(Max) - 208 W 208 W

耗散功率(Max) - 208W (Tc) 208 W

长度 10.2 mm 16.13 mm 10.36 mm

宽度 4.5 mm 5.21 mm 4.57 mm

高度 9.45 mm 21.1 mm 15.95 mm

封装 TO-262-3 TO-247-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Not Recommended Not Recommended Not Recommended

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17