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IPI60R125CP

IPI60R125CP

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件
IPI60R125CP中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 0.11 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 208 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 650 V

漏源击穿电压 600 V

连续漏极电流Ids 25.0 A

上升时间 5 ns

下降时间 5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-262-3

外形尺寸

长度 10.2 mm

宽度 4.5 mm

高度 9.45 mm

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

IPI60R125CP引脚图与封装图
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IPI60R125CP Infineon 英飞凌 CoolMOSTM功率晶体管 CoolMOSTM Power Transistor 搜索库存
替代型号IPI60R125CP
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IPI60R125CP

品牌: Infineon 英飞凌

封装: I2PAK-3 N-Channel 600V 25A

当前型号

CoolMOSTM功率晶体管 CoolMOSTM Power Transistor

当前型号

型号: IPP60R125CP

品牌: 英飞凌

封装: TO-220 N-Channel 600V 25A 2.5nF

功能相似

INFINEON  IPP60R125CP  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 25 A, 650 V, 0.11 ohm, 10 V, 3 V

IPI60R125CP和IPP60R125CP的区别

型号: IPW60R125CP

品牌: 英飞凌

封装: TO-247 N-Channel 600V 25A 2.5nF

功能相似

INFINEON  IPW60R125CP  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 25 A, 650 V, 0.11 ohm, 10 V, 3 V

IPI60R125CP和IPW60R125CP的区别

型号: STB30NM60N

品牌: 意法半导体

封装: D2PAK N-CH 600V 25A

功能相似

N沟道600 V , 0.1 Ω , 25 A ,的MDmesh II ™功率MOSFET TO- 220 , TO- 220FP , TO- 247 , D2PAK , I2PAK N-channel 600 V, 0.1 Ω, 25 A, MDmesh? II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, TO-247, D2PAK, I2PAK

IPI60R125CP和STB30NM60N的区别