通道数 1
漏源极电阻 0.11 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 208 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 650 V
漏源击穿电压 600 V
连续漏极电流Ids 25.0 A
上升时间 5 ns
下降时间 5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-262-3
长度 10.2 mm
宽度 4.5 mm
高度 9.45 mm
封装 TO-262-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Not Recommended
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IPI60R125CP | Infineon 英飞凌 | CoolMOSTM功率晶体管 CoolMOSTM Power Transistor | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IPI60R125CP 品牌: Infineon 英飞凌 封装: I2PAK-3 N-Channel 600V 25A | 当前型号 | CoolMOSTM功率晶体管 CoolMOSTM Power Transistor | 当前型号 | |
型号: IPP60R125CP 品牌: 英飞凌 封装: TO-220 N-Channel 600V 25A 2.5nF | 功能相似 | INFINEON IPP60R125CP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 25 A, 650 V, 0.11 ohm, 10 V, 3 V | IPI60R125CP和IPP60R125CP的区别 | |
型号: IPW60R125CP 品牌: 英飞凌 封装: TO-247 N-Channel 600V 25A 2.5nF | 功能相似 | INFINEON IPW60R125CP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 25 A, 650 V, 0.11 ohm, 10 V, 3 V | IPI60R125CP和IPW60R125CP的区别 | |
型号: STB30NM60N 品牌: 意法半导体 封装: D2PAK N-CH 600V 25A | 功能相似 | N沟道600 V , 0.1 Ω , 25 A ,的MDmesh II ™功率MOSFET TO- 220 , TO- 220FP , TO- 247 , D2PAK , I2PAK N-channel 600 V, 0.1 Ω, 25 A, MDmesh? II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, TO-247, D2PAK, I2PAK | IPI60R125CP和STB30NM60N的区别 |