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IDH04S60C、IDH10S120、IDH06S60C对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IDH04S60C IDH10S120 IDH06S60C

描述 2ndGeneration的thinQ ! TM SiC肖特基二极管 2ndGeneration thinQ!TM SiC Schottky DiodeINFINEON  IDH10S120  二极管, 碳化硅肖特基, SIC, thinQ 2G 1200V系列, 单, 1.2 kV, 10 A, 36 nC, TO-220第二代的thinQ SiC肖特基二极管 2nd Generation thinQ SiC Schottky Diode

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 TVS二极管TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 2 2 2

封装 TO-220-2 TO-220-2 TO-220-2

额定功率 42 W - 63 W

负载电流 4 A - 6 A

正向电压 1.7 V 1.8 V 1.7V @6A

耗散功率 42 W 135 W -

正向电流 4 A 10 A -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -

热阻 - - 2.4℃/W (RθJC)

反向恢复时间 - 10 ns 0 ns

正向电压(Max) - 840 mV 1.7V @6A

最大正向浪涌电流(Ifsm) - 58 A -

正向电流(Max) - 10 A -

工作结温(Max) - 175 ℃ -

耗散功率(Max) - 135000 mW -

封装 TO-220-2 TO-220-2 TO-220-2

长度 - 10.2 mm -

宽度 - 4.5 mm -

高度 - 9.45 mm -

工作温度 55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Obsolete Obsolete

包装方式 Tube Each Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -