IDH06S60C
数据手册.pdf
Infineon
英飞凌
分立器件
IDH06S60C中文资料参数规格
技术参数
额定功率 63 W
负载电流 6 A
正向电压 1.7V @6A
热阻 2.4℃/W RθJC
反向恢复时间 0 ns
正向电压Max 1.7V @6A
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 TO-220-2
外形尺寸
封装 TO-220-2
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
IDH06S60C引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IDH06S60C
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IDH06S60C | Infineon 英飞凌 | 第二代的thinQ SiC肖特基二极管 2nd Generation thinQ SiC Schottky Diode | 搜索库存 |
替代型号IDH06S60C
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IDH06S60C 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-220-2 | 当前型号 | 第二代的thinQ SiC肖特基二极管 2nd Generation thinQ SiC Schottky Diode | 当前型号 |
| 型号： SDT06S60 品牌： 英飞凌 封装： TO-220-2 600V 6A | 完全替代 | 碳化硅肖特基二极管 Silicon Carbide Schottky Diode | IDH06S60C和SDT06S60的区别 |
| 型号： IDH15S120 品牌： 英飞凌 封装： TO-220-2 | 类似代替 | thinQ!™ 碳化硅 SiC 肖特基二极管，InfineonInfineon thinQ!™ 第 5 代提供全新薄芯片技术，用于碳化硅肖特基势垒二极管，可提高耐热性。 Infineon thinQ!™ 肖特基二极管具有 600V、650V 和 1200V 电压选择。 Infineon 1200V 碳化硅二极管高效，且在 1200 V 操作时无损耗。 碳化硅肖特基二极管碳化硅设备提供各种用于高电压功率半导体的功能，如更高的击穿电场强度和导热性，可提供更高效率水平。 此代产品适用于电信 SMPS 和高端服务器、UPS 系统、电动机驱动器、太阳能反相器及 PC Silverbox 和照明应用。 降低的 EMI ### 二极管和整流器，Infineon | IDH06S60C和IDH15S120的区别 |
| 型号： IDH03G65C5 品牌： 英飞凌 封装： TO-220-2 | 类似代替 | thinQ!™ 碳化硅 SiC 肖特基二极管，InfineonInfineon thinQ!™ 第 5 代提供全新薄芯片技术，用于碳化硅肖特基势垒二极管，可提高耐热性。 Infineon thinQ!™ 肖特基二极管具有 600V、650V 和 1200V 电压选择。 Infineon 1200V 碳化硅二极管高效，且在 1200 V 操作时无损耗。 碳化硅肖特基二极管碳化硅设备提供各种用于高电压功率半导体的功能，如更高的击穿电场强度和导热性，可提供更高效率水平。 此代产品适用于电信 SMPS 和高端服务器、UPS 系统、电动机驱动器、太阳能反相器及 PC Silverbox 和照明应用。 降低的 EMI ### 二极管和整流器，Infineon | IDH06S60C和IDH03G65C5的区别 |