BD675AS、BD675G、BD675AG对比区别
描述 NPN外延硅晶体管 NPN Epitaxial Silicon TransistorON SEMICONDUCTOR BD675G 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 45 V, 1 MHz, 40 W, 4 A, 750 hFENPN 复合晶体管，On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3
额定电压(DC) 45.0 V 45.0 V 45.0 V
额定电流 4.00 A 4.00 A 4.00 A
无卤素状态 - Halogen Free Halogen Free
针脚数 - 3 3
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 40 W 40 W 40 W
增益频宽积 - - 1 MHz
击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 45 V
集电极最大允许电流 4A 4A 4A
最小电流放大倍数(hFE) 750 @2A, 3V 750 @1.5A, 3V 750 @2A, 3V
额定功率(Max) 40 W 40 W 40 W
直流电流增益(hFE) - 750 750
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 40000 mW 40000 mW 40000 mW
额定功率 40 W - -
长度 8 mm 7.74 mm 7.74 mm
宽度 3.25 mm 2.66 mm 2.66 mm
高度 11.2 mm 11.04 mm 11.04 mm
封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3
工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Bulk Bulk Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99