IRG4BC30FD-STRR、IRG4BC30FDSTRRP对比区别

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型号 IRG4BC30FD-STRR IRG4BC30FDSTRRP

描述 IGBT 600V 31A 100W D2PAKTrans IGBT Chip N-CH 600V 31A 100000mW 3Pin(2+Tab) D2PAK T/R

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 IGBT晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 TO-263-3 TO-263-3

引脚数 - 3

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V

反向恢复时间 42 ns 42 ns

额定功率(Max) 100 W 100 W

额定功率 - 100 W

耗散功率 - 100000 mW

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 100000 mW

封装 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead PB free