IRG4BC30FD-STRR
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
电子元器件分类
IRG4BC30FD-STRR中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 600 V
反向恢复时间 42 ns
额定功率Max 100 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
IRG4BC30FD-STRR引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IRG4BC30FD-STRR
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRG4BC30FD-STRR | Infineon 英飞凌 | IGBT 600V 31A 100W D2PAK | 搜索库存 |
替代型号IRG4BC30FD-STRR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRG4BC30FD-STRR 品牌： Infineon 英飞凌 封装： | 当前型号 | IGBT 600V 31A 100W D2PAK | 当前型号 |
| 型号： IRG4BC30FDSTRRP 品牌： 英飞凌 封装： TO-263-3 100000mW | 完全替代 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 31A 100000mW 3Pin2+Tab D2PAK T/R | IRG4BC30FD-STRR和IRG4BC30FDSTRRP的区别 |