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LM258P、LM358N/NOPB、LM358N对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LM258P LM358N/NOPB LM358N

描述 TEXAS INSTRUMENTS  LM258P  运算放大器, 双路, 700 kHz, 2个放大器, 0.3 V/µs, 3V 至 32V, ± 1.5V 至 ± 16V, DIP, 8 引脚TEXAS INSTRUMENTS  LM358N/NOPB  运算放大器, 双路, 1 MHz, 2个放大器, 0.1 V/µs, 3V 至 32V, DIP, 8 引脚FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  LM358N  运算放大器, 双路, 2个放大器, ± 1.5V 至 ± 16V, DIP, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 8 8 8

封装 DIP-8 DIP-8 DIP-8

工作电压 3V ~ 30V 3V ~ 32V -

输出电流 30mA @15V 40mA @15V 30 mA

供电电流 1 mA 1 mA 800 µA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

针脚数 8 8 8

共模抑制比 70 dB 65 dB 65 dB

输入补偿漂移 7.00 µV/K 7.00 µV/K -

带宽 700 kHz 1 MHz -

转换速率 300 mV/μs 100 mV/μs 600 mV/μs

增益频宽积 700 kHz 1 MHz -

输入补偿电压 3 mV 2 mV 2.9 mV

输入偏置电流 20 nA 45 nA 45 nA

工作温度(Max) 85 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) -25 ℃ 0 ℃ 0 ℃

增益带宽 0.7 MHz 1 MHz -

共模抑制比(Min) 70 dB 65 dB 65 dB

电源电压 3V ~ 30V 3V ~ 32V 3.32 VDC

电源电压(Max) 32 V 32 V -

电源电压(Min) 3 V 3 V -

电源电压(DC) - 5.00 V 32.0V (max)

耗散功率 - 0.83 W -

输入电压(Max) - 32 V -

耗散功率(Max) - 830 mW -

长度 9.81 mm 9.27 mm 9.6 mm

宽度 6.35 mm 6.35 mm 6.4 mm

高度 4.57 mm 3.3 mm 3.3 mm

封装 DIP-8 DIP-8 DIP-8

工作温度 -25℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/06/15

香港进出口证 NLR - -

ECCN代码 - - EAR99