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NIS5112D1R2G、NIS5112D2R2G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 NIS5112D1R2G NIS5112D2R2G

描述 ON Semiconductor集成电源 电源设备,具有热保护 无需外部分流器 9V 至 18V 输入范围 内部电荷泵 电阻器设置电流限度 打开时,电容器对输出转换速率进行编程(仅限 NIS5132) ### 电压和电流管理,On SemiconductorNIS 系列 12 V 92 uA 表面贴装 电子保险丝 - SOIC-8

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 TVS二极管电源管理

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) 9.00V (min) -

无卤素状态 Halogen Free Halogen Free

输入电压(DC) 12.0 V -

输出电流 2 A 2 A

电路数 1 1

通道数 1 1

针脚数 8 8

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃

电源电压(Max) 18 V 18 V

电源电压(Min) 9 V 9 V

输入电压 9V ~ 18V 9V ~ 18V

长度 5 mm 4.9 mm

宽度 4 mm 3.9 mm

高度 1.5 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 175℃ -40℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99

香港进出口证 NLR -