FMH28N50ES、IXFH30N50Q3、FDA28N50F对比区别
型号 FMH28N50ES IXFH30N50Q3 FDA28N50F
描述 TO-3P(Q) N-CH 500V 28AN 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Q3 系列HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用，可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装，包括隔离类型，带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流－直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。快速本质整流器二极管 低 RDS（接通）和 QG（栅极电荷） 低本质栅极电阻 工业标准封装 低封装电感 高功率密度 ### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备UniFET™ N 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorUniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻，还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外，内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX（先进技术扩展）和电子灯镇流器。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
数据手册 ---
制造商 FUJI (富士电机) IXYS Semiconductor Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管
安装方式 - Through Hole Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 TO-3 TO-247-3 TO-3-3
通道数 - 1 1
漏源极电阻 - - 175 mΩ
极性 N-CH N-CH N-CH
耗散功率 - 690W (Tc) 310 W
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V
漏源击穿电压 - - 500 V
连续漏极电流(Ids) 28A 30A 28A
上升时间 - 14 ns 137 ns
输入电容(Ciss) - 3200pF @25V(Vds) 5387pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - - 310 W
下降时间 - 9 ns 101 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 690W (Tc) 310W (Tc)
长度 - 16.26 mm 15.8 mm
宽度 - 5.3 mm 5 mm
高度 - 16.26 mm 20.1 mm
封装 TO-3 TO-247-3 TO-3-3
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 - Tube Tube
RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free