FDMS3672、FDS3170N7、BSC196N10NS G对比区别
型号 FDMS3672 FDS3170N7 BSC196N10NS G
描述 UltraFET® MOSFET，Fairchild SemiconductorUItraFET® Trench MOSFET 组合了在功率转换应用中实现基准效率的特性。 该设备可耐受雪崩模式中的高能量，且二极管展现出非常短的反向恢复时间和积累电荷。 为高频率时的效率、最低 RDS（接通）、低 ESR 和低总栅极电荷和 Miller 栅极电荷进行了优化。 应用：高频直流-直流转换器、开关调节器、电动机驱动器、低电压总线开关和电源管理。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。100V N沟道PowerTrench MOSFET的 100V N-Channel PowerTrench MOSFETINFINEON BSC196N10NS G 晶体管, MOSFET, N沟道, 45 A, 100 V, 16.7 mohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount -
引脚数 8 8 8
封装 Power-56-8 SOIC-8 TDSON-8
额定电压(DC) 100 V 100 V -
额定电流 22.0 A 6.70 A -
通道数 1 - 1
漏源极电阻 19 mΩ 26.0 mΩ 16.7 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 2.5 W 3W (Ta) 78 W
输入电容 2.68 nF - -
栅电荷 44.0 nC - -
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
漏源击穿电压 100 V 100 V -
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) 22.0 A 6.70 A -
上升时间 11 ns 10.0 ns 22 ns
输入电容(Ciss) 2680pF @50V(Vds) 2714pF @50V(Vds) 2300pF @50V(Vds)
额定功率(Max) 2.5 W 3 W 78 W
下降时间 8 ns - 5 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -
耗散功率(Max) 78 W 3W (Ta) -
针脚数 - - 8
阈值电压 - - 3 V
长度 5 mm - 5.9 mm
宽度 6 mm - 5.9 mm
高度 0.75 mm - 1.27 mm
封装 Power-56-8 SOIC-8 TDSON-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Unknown Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99