FDS3170N7
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDS3170N7中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 100 V
额定电流 6.70 A
漏源极电阻 26.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 3W Ta
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 6.70 A
上升时间 10.0 ns
输入电容Ciss 2714pF @50VVds
额定功率Max 3 W
耗散功率Max 3W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDS3170N7引脚图与封装图
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在线购买FDS3170N7
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDS3170N7 | Fairchild 飞兆/仙童 | 100V N沟道PowerTrench MOSFET的 100V N-Channel PowerTrench MOSFET | 搜索库存 |
替代型号FDS3170N7
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDS3170N7 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SOIC N-Channel 100V 6.7A 26mohms | 当前型号 | 100V N沟道PowerTrench MOSFET的 100V N-Channel PowerTrench MOSFET | 当前型号 |
| 型号： FDMS3672 品牌： 飞兆/仙童 封装： Power56 N-Channel 100V 22A 19mohms 2.68nF | 类似代替 | UltraFET® MOSFET，Fairchild SemiconductorUItraFET® Trench MOSFET 组合了在功率转换应用中实现基准效率的特性。 该设备可耐受雪崩模式中的高能量，且二极管展现出非常短的反向恢复时间和积累电荷。 为高频率时的效率、最低 RDS（接通）、低 ESR 和低总栅极电荷和 Miller 栅极电荷进行了优化。 应用：高频直流-直流转换器、开关调节器、电动机驱动器、低电压总线开关和电源管理。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | FDS3170N7和FDMS3672的区别 |