IRLR7807ZPBF、IRLR7807ZTRPBF、FDD8878对比区别
型号 IRLR7807ZPBF IRLR7807ZTRPBF FDD8878
描述 INFINEON IRLR7807ZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 13.8 mohm, 10 V, 1.8 VHEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD8878 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 0.011 ohm, 10 V, 1.2 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定功率 40 W 40 W -
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.0138 Ω 0.011 Ω 0.011 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 40 W 40 W 40 W
阈值电压 1.8 V 1.8 V 1.2 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 43A 43A 40.0 A
上升时间 28 ns 28 ns 79 ns
输入电容(Ciss) 780pF @15V(Vds) 780pF @15V(Vds) 880pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 40 W 40 W 40 W
下降时间 3.5 ns 3.5 ns 27 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 40W (Tc) 40W (Tc) 40W (Tc)
额定电压(DC) - - 30.0 V
额定电流 - - 40.0 A
输入电容 - - 880 pF
栅电荷 - - 19.0 nC
漏源击穿电压 - - 30.0 V
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
长度 6.73 mm 6.73 mm 6.73 mm
宽度 6.22 mm 7.49 mm 6.22 mm
高度 2.39 mm 2.39 mm 2.39 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/06/15
REACH SVHC标准 - - No SVHC
ECCN代码 - - EAR99