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MT29F1G08ABBDAH4:D、MT29F1G08ABBDAHC:D、MT29F1G08ABBDAHC-IT:D对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MT29F1G08ABBDAH4:D MT29F1G08ABBDAHC:D MT29F1G08ABBDAHC-IT:D

描述 Flash, 128MX8, 25ns, PBGA63, 9 X 11MM, 1MM HEIGHT, VFBGA-63SLC NAND Flash Parallel 1.8V 1Gbit 128M x 8Bit 63Pin VFBGA TraySLC NAND Flash Parallel 1.8V 1Gbit 128M x 8Bit 63Pin VFBGA Tray

数据手册 ---

制造商 Micron (镁光) Micron (镁光) Micron (镁光)

分类 存储芯片Flash芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 VFBGA-63 VFBGA-63 VFBGA-63

引脚数 - 63 63

工作电压 1.80 V 1.80 V 1.80 V

内存容量 125000000 B 125000000 B 125000000 B

电源电压 1.7V ~ 1.95V 1.7V ~ 1.95V 1.7V ~ 1.95V

供电电流 - 20 mA 20 mA

位数 - 8 8

工作温度(Max) - 70 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) - 0 ℃ -40 ℃

封装 VFBGA-63 VFBGA-63 VFBGA-63

高度 - 0.65 mm -

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Bulk Tray Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅 PB free