MT29F1G08ABBDAH4:D

Micron(镁光) 电子元器件分类

Flash, 128MX8, 25ns, PBGA63, 9 X 11MM, 1MM HEIGHT, VFBGA-63

FLASH - NAND Memory IC 1Gb 128M x 8 Parallel 63-VFBGA 9x11

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MT29F1G08ABBDAH4:D

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IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA

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SLC NAND Flash Parallel 1.8V 1G-bit 128M x 8 63-Pin VFBGA Tray

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SLC NAND Flash Parallel 1.8V 1G-bit 128M x 8 63-Pin VFBGA Tray

MT29F1G08ABBDAH4:D中文资料参数规格

技术参数

工作电压 1.80 V

内存容量 125000000 B

电源电压 1.7V ~ 1.95V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 VFBGA-63

外形尺寸

封装 VFBGA-63

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准

含铅标准无铅

MT29F1G08ABBDAH4:D引脚图与封装图

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MT29F1G08ABBDAH4:D	Micron 镁光	Flash, 128MX8, 25ns, PBGA63, 9 X 11MM, 1MM HEIGHT, VFBGA-63	搜索库存

替代型号MT29F1G08ABBDAH4:D

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： MT29F1G08ABBDAH4:D 品牌： Micron 镁光封装： 63-VFBGA 125000000B	当前型号	Flash, 128MX8, 25ns, PBGA63, 9 X 11MM, 1MM HEIGHT, VFBGA-63	当前型号
型号： MT29F1G08ABBDAHC:D 品牌：镁光封装： 63-VFBGA 125000000B	完全替代	SLC NAND Flash Parallel 1.8V 1Gbit 128M x 8Bit 63Pin VFBGA Tray	MT29F1G08ABBDAH4:D和MT29F1G08ABBDAHC:D的区别
型号： MT29F1G08ABBDAH4-IT:D 品牌：镁光封装： 63-VFBGA 125000000B	完全替代	Flash, 128MX8, 25ns, PBGA63, 9 X 11MM, 1MM HEIGHT, VFBGA-63	MT29F1G08ABBDAH4:D和MT29F1G08ABBDAH4-IT:D的区别
型号： MT29F1G08ABBDAHC-IT:D 品牌：镁光封装： 63-VFBGA 125000000B	完全替代	SLC NAND Flash Parallel 1.8V 1Gbit 128M x 8Bit 63Pin VFBGA Tray	MT29F1G08ABBDAH4:D和MT29F1G08ABBDAHC-IT:D的区别