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APT6029BFLLG、APT6029BLLG、STW21NM60ND对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 APT6029BFLLG APT6029BLLG STW21NM60ND

描述 TO-247 N-CH 600V 21A功率MOS 7 MOSFETc POWER MOS 7 MOSFETcSTMICROELECTRONICS  STW21NM60ND  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 600 V, 0.17 ohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 - 3

封装 TO-247 TO-247-3 TO-247-3

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - - 0.17 Ω

极性 N-CH N-CH N-Channel

耗散功率 300 W 300 W 140 W

阈值电压 - - 4 V

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

上升时间 5 ns - 16 ns

输入电容(Ciss) 2615pF @25V(Vds) - 1800pF @50V(Vds)

额定功率(Max) - - 140 W

下降时间 4 ns - 48 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 300000 mW - 140W (Tc)

额定电压(DC) 600 V 600 V -

额定电流 21.0 A 21.0 A -

输入电容 2.61 nF 2.61 nF -

栅电荷 65.0 nC 65.0 nC -

连续漏极电流(Ids) 21.0 A 21.0 A -

长度 - - 15.75 mm

宽度 - - 5.15 mm

高度 - - 20.15 mm

封装 TO-247 TO-247-3 TO-247-3

工作温度 - - 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Rail, Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99