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BZT52H-B18,115、BZT52H-C18,115对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZT52H-B18,115 BZT52H-C18,115

描述 SOD-123F 18V 830mWBZT52H 系列 18 V 250 mA 表面贴装 单通道 齐纳二极管 - SOD123F

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 2

封装 SOD-123F SOD-123F

容差 ±5 % ±5 %

针脚数 - -

正向电压 900mV @10mA 900mV @10mA

耗散功率 830 mW 0.83 W

测试电流 5 mA 5 mA

稳压值 18 V 18 V

正向电压(Max) - 900mV @10mA

额定功率(Max) 375 mW 375 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 830 mW 830 mW

长度 - -

宽度 - -

高度 - 1.2 mm

封装 SOD-123F SOD-123F

工作温度 -65℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃

温度系数 14.2 mV/K 14.2 MV/K

产品生命周期 Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free