BZT52H-B18,115
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NXP
恩智浦
分立器件
BZT52H-B18,115中文资料参数规格
技术参数
容差 ±5 %
正向电压 900mV @10mA
耗散功率 830 mW
测试电流 5 mA
稳压值 18 V
额定功率Max 375 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 830 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOD-123F
外形尺寸
封装 SOD-123F
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃
温度系数 14.2 mV/K
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BZT52H-B18,115引脚图与封装图
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在线购买BZT52H-B18,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BZT52H-B18,115 | NXP 恩智浦 | SOD-123F 18V 830mW | 搜索库存 |
替代型号BZT52H-B18,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BZT52H-B18,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT353 | 当前型号 | SOD-123F 18V 830mW | 当前型号 |
| 型号： BZT52H-C18,115 品牌： 恩智浦 封装： SOD-123F | 类似代替 | BZT52H 系列 18 V 250 mA 表面贴装 单通道 齐纳二极管 - SOD123F | BZT52H-B18,115和BZT52H-C18,115的区别 |