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J112RL1、J112RLRA、J112,126对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 J112RL1 J112RLRA J112,126

描述 JFET斩波晶体管N通道 - 耗尽 JFET Chopper Transistors N−Channel - DepletionJFET斩波晶体管N通道 - 耗尽 JFET Chopper Transistors N−Channel - DepletionJFET N-CH 40V 20mA TO92-3

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦)

分类 JFET晶体管JFET晶体管JFET晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3

额定电压(DC) 35.0 V 35.0 V -

额定电流 50.0 mA 50.0 mA -

漏源极电阻 50 Ω 50 Ω 50 Ω

极性 N-Channel N-Channel -

漏源极电压(Vds) 35.0 V 35.0 V 40 V

栅源击穿电压 35.0 V 35.0 V -

击穿电压 35 V 35 V 40 V

额定功率(Max) 350 mW 350 mW 400 mW

耗散功率 - 350 mW -

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 350 mW 400 mW

输入电容(Ciss) - - 6pF @10V(Vgs)

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3

高度 - 5.33 mm -

宽度 - - 3.2 mm

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

材质 - - Silicon

产品生命周期 Unknown Unknown Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Box (TB)

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Lead Free