APT60M75JVR、IXFN60N60、IXKN40N60C对比区别

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型号 APT60M75JVR IXFN60N60 IXKN40N60C

描述 SOT-227 N-CH 600V 62AIXYS SEMICONDUCTOR  IXFN60N60  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 60 A, 600 V, 75 mohm, 10 V, 4.5 VSOT-227B N-CH 600V 40A

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管中高压MOS管MOS管

安装方式 Screw Screw Chassis

引脚数 4 3 4

封装 SOT-227-4 SOT-227-4 SOT-227-4

额定电压(DC) 600 V 600 V -

额定电流 62.0 A 60.0 A -

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.075 Ω -

极性 N-CH N-Channel N-CH

耗散功率 700W (Tc) 600 W -

阈值电压 - 4.5 V -

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 62.0 A 60.0 A 40A

上升时间 20 ns 52 ns 30 ns

隔离电压 - 2.5 kV -

输入电容(Ciss) 19800pF @25V(Vds) 15000pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 700 W 700 W -

下降时间 12 ns 26 ns 10 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -40 ℃

工作结温(Max) - 150 ℃ -

耗散功率(Max) 700W (Tc) 700W (Tc) -

输入电容 19.8 nF - -

栅电荷 1.05 µC - -

宽度 - 25.42 mm -

封装 SOT-227-4 SOT-227-4 SOT-227-4

材质 - Silicon -

重量 - 0.04 kg -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2014/06/16 -