2N7002-7-F、BSS145、2N7002ET1G对比区别

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型号 2N7002-7-F BSS145 2N7002ET1G

描述 2N7002-7-F 编带SIPMOS小信号晶体管（ N沟道增强模式） SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode)ON SEMICONDUCTOR  2N7002ET1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 310 mA, 60 V, 0.86 ohm, 10 V, 1 V

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 SOT-23-3 SOT-23 SOT-23-3

无卤素状态 - - Halogen Free

通道数 - - 1

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 13.5 Ω - 0.86 Ω

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 300 mW - 420 mW

阈值电压 2.5 V - 1 V

输入电容 - - 26.7 pF

漏源极电压(Vds) 60 V 65 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 115 mA 0.22A 310 mA

上升时间 3 ns - 1.2 ns

正向电压(Max) - - 1.2 V

输入电容(Ciss) 50pF @25V(Vds) - 26.7pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 300 mW - 300 mW

下降时间 5.6 ns - 3.6 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 370mW (Ta) - 300 mW

额定电压(DC) 60.0 V - -

额定电流 115 mA - -

额定功率 0.3 W - -

漏源击穿电压 70.0 V - -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

长度 2.9 mm - 2.9 mm

宽度 1.3 mm - 1.3 mm

高度 1 mm - 0.94 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant - RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2014/12/17 - 2015/12/17

军工级 Yes - -

ECCN代码 EAR99 - EAR99