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TLC251ACD、TLC251CD、TLC251ACDR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLC251ACD TLC251CD TLC251ACDR

描述 LinCMOSE可编程低功耗运算放大器 LinCMOSE PROGRAMMABLE LOW-POWER OPERATIONAL AMPLIFIERSLinCMOS 运算放大器### 运算放大器,Texas Instruments运算放大器 - 运放 Programmable Lo-Pwr Op Amp

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 运算放大器运算放大器放大器、缓冲器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) - 16.0 V -

供电电流 950 µA 950 µA 950 µA

电路数 1 1 1

通道数 1 1 1

针脚数 - 8 -

耗散功率 725 mW 725 mW 725 mW

共模抑制比 65dB ~ 80dB 65 dB -

输入补偿漂移 1.80 µV/K 1.80 µV/K 1.80 µV/K

带宽 1.7 MHz 1.7 MHz 12.0 kHz

转换速率 4.00 V/μs 4.00 V/μs 3.60 V/μs

增益频宽积 1.7 MHz 1.7 MHz 1.7 MHz

输入补偿电压 900 µV 1.1 mV 900 µV

输入偏置电流 0.7 pA 0.7 pA 0.7 pA

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃

增益带宽 2.2 MHz 2.2 MHz 2.2 MHz

耗散功率(Max) 725 mW 725 mW 725 mW

共模抑制比(Min) 65 dB 65 dB 65 dB

电源电压 1.4V ~ 16V 1.4V ~ 16V -

电源电压(Max) 16 V 16 V -

电源电压(Min) 1.4 V 1.4 V -

长度 4.9 mm 4.9 mm 4.9 mm

宽度 3.91 mm 3.91 mm 3.91 mm

高度 1.58 mm 1.58 mm 1.58 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 -