FQP17P06、STP55NF06、STD15NF10T4对比区别

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型号 FQP17P06 STP55NF06 STD15NF10T4

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQP17P06  晶体管, MOSFET, P沟道, 17 A, -60 V, 120 mohm, -10 V, -4 VMOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS  STD15NF10T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 100 V, 65 mohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-252-3

额定电压(DC) -60.0 V 60.0 V 100 V

额定电流 -17.0 A 50.0 A 23.0 A

通道数 - 1 1

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 120 mΩ 0.015 Ω 0.065 Ω

极性 P-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 79 W 30 W 70 W

阈值电压 - 3 V 3 V

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 100 V

漏源击穿电压 - 60.0 V 100 V

栅源击穿电压 ±25.0 V ±20.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) -17.0 A 50.0 A 23.0 A

上升时间 100 ns 50 ns 45 ns

输入电容(Ciss) 900pF @25V(Vds) 1300pF @25V(Vds) 870pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 79 W 110 W 70 W

下降时间 60 ns 15 ns 17 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 79 W 110W (Tc) 70W (Tc)

输入电容 690 pF - -

栅电荷 21.0 nC - -

额定功率 - 110 W -

长度 10.1 mm 10.4 mm 6.6 mm

宽度 4.7 mm 4.6 mm 6.2 mm

高度 9.4 mm 9.15 mm 2.4 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - EAR99